Ученые смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии

Ученые из лаборатории в Центр НБИКС-технологий имени Курчатова были в состоянии создавать монокристаллические пленки EuO на кремнии.

Ученые из лаборатории в Центр НБИКС-технологий имени Курчатова были в состоянии создавать монокристаллические пленки EuO кремния, для того чтобы определить их магнитные, структурные и электронные свойства физические. Это написано в статье в журнале Journal of Materials Chemistry C. Ранее улучшение микроэлектрических средства была проведена в соответствии с законом Мура.

Каждые два года ученые в два раза количество транзисторов, увеличивая и частоту. Но из-за миниатюризации элементов микросхем, принципы работы оборудования на основе кремния перестали работать. Закон Мура в первый раз перестал работать в 2003 году. Тогда транзистор должен показать частотой 4 Ггц, а в 2007 году – 10 ГГЦ. Тем не менее, до сих пор показывают частоту не более 3,2 ГГЦ.

В новом исследовании, ученые решили преодолеть барьер с помощью соединения кремния и ферромагнитного полупроводника. В этом случае кристаллы вещества-полупроводника создаются на поверхности кристаллов кремния и образуются новые спин контакты. Результаты работы дают возможность для создания новых спин-транзисторы и форсунок.

Категория: Блоги